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然而，区域清洁锗空位在母相中的形成能极低，导致锗碲具有类内禀属性的高空穴载流子密度，制约了其优值的进一步提高。另一种是通过异价掺杂的施主作用，消纳贡献自由电子以减少空穴密度。
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区域清洁图3e和3f基于单/多抛物带模型计算了塞贝克系数和输出因子与载流子密度的关系。图4d基于Debye-Callaway模型计算了室温分谱晶格热导，消纳可知不同的晶格缺陷可以散射不同频率的声子，使得全谱声子的群速度减小，从而降低晶格热导。
热电性能测试表明样品具有超过40μWcm-1K-2的高输出因子和低于0.7Wm-1K-1的热导率，监管从而达到大于2.0的高热电优值和约17%的最大热电转化效率。
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